NOR je nevolatilní flash paměť, která splnila Masuokův cíl, byť jen částečně. Jeho výzkum dále pokračoval a přinesl ještě významnější objev v podobě NAND flash paměti roku 1987. O NAND si můžete více přečíst zde. NOR je typ paměti založený na tzv. floating-gate tranzistorech, které díky izolační vrstvě uchovají svou hodnotu i bez napájení. Architektura NOR však tento typ paměti předurčuje spíše k použití v prostředí, kde je zapotřebí uchovat menší objem dat, která jsou určena převážně pouze pro čtení. Zápis a mazání je u NOR náročnější a pomalejší. Své uplatnění tak NOR od svého uvedení na trh až po současnost nachází například pro uložení BIOS osobních počítačů, ROM u pevných disků, v různých embedded systémech a dříve také v mobilních telefonech. První na trh uvedená NOR paměť měla kapacitu 32 KB (256 kilobitů). S ohledem na primární využití NOR jsou kapacity i dnes poměrně nízké, a to od 64 kB po 32MB.
+420 608 177 773
Architektura NOR flash paměti:
NOR flash paměť se skládá z paměťových buněk uspořádaných do matice, přičemž každá paměťová buňka obsahuje jeden tranzistor s plovoucí bránou (floating gate transistor). Architektura NOR flash paměti umožňuje přímý přístup ke každé paměťové buňce díky paralelnímu zapojení řady (wordline) a sloupce (bitline). Tato architektura umožňuje rychlý přístup ke čtení dat, ale má pomalejší zápis a mazání.
Čtení dat:
U NOR flash paměti je čtení dat prováděno přímým přístupem ke každé paměťové buňce. Při čtení se napětí aplikuje na řádkovou (wordline) a sloupcovou (bitline) část, čímž se otevře tranzistor a umožní průtok proudu. Přítomnost nebo nepřítomnost náboje v plovoucí bráně tranzistoru určuje hodnotu bitu (1 nebo 0).
Zápis dat:
Proces zápisu dat do NOR flash paměti zahrnuje injekci elektronů do plovoucí brány tranzistoru. Tento proces se nazývá Fowler-Nordheimový tunelový jev a vyžaduje vyšší napětí než čtení dat. Vysoké napětí se aplikuje na řádkovou část (wordline), zatímco sloupcová část je uzemněna. Elektrony překonávají izolační vrstvu mezi plovoucí bránou a substrátem a ukládají se v plovoucí bráně, což změní hodnotu bitu.
Mazání dat:
Mazání dat z NOR flash paměti vyžaduje odstranění elektronů z plovoucí brány tranzistoru. To se provádí pomocí Fowler-Nordheimova tunelování v opačném směru. Pro mazání se aplikuje vysoké napětí na sloupcovou část (bitline) a řádková část (wordline) je uzemněna. Elektrony opouštějí plovoucí bránu a vracejí se do substrátu, čímž se obnoví původní hodnota bitu. Mazání NOR flash paměti probíhá v blocích, což znamená, že celý blok paměti je smazán najednou, a to i v případě, že je potřeba odstranit pouze několik bitů. Tento proces mazání je pomalejší než u NAND flash paměti.
- Základní údaje
- By Frantisek Fridrich
- Glosář
